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TH58TEG8H2HBAS9 发布时间 时间:2025/4/28 20:06:43 查看 阅读:1

TH58TEG8H2HBAS9 是一款由东芝(Toshiba)生产的 NAND 闪存芯片,主要用于存储数据。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有高密度存储能力和较低的功耗,适用于消费类电子产品、工业设备以及嵌入式系统等领域。
  这款芯片支持标准的 NAND 接口协议,并具备较快的数据传输速度和良好的耐用性。其设计优化了写入和擦除操作的性能,同时提供了较高的数据可靠性。

参数

容量:64Gb
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  接口类型:8-bit NAND
  页大小:16KB
  块大小:512KB
  数据传输速率:最大 40MB/s
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

TH58TEG8H2HBAS9 具有以下主要特性:
  1. 高密度存储能力,单颗芯片即可提供 64Gb 的存储空间,适合大容量存储需求。
  2. 支持多级单元(MLC)技术,能够在每个存储单元中保存多个比特的数据,从而提升存储效率。
  3. 内置 ECC(错误校正码)引擎,能够自动检测和纠正数据读取过程中的错误,确保数据的完整性。
  4. 低功耗设计,减少系统的整体能耗,延长电池驱动设备的使用时间。
  5. 提供较宽的工作温度范围,适应各种环境下的应用需求。

应用

TH58TEG8H2HBAS9 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品,如 USB 闪存盘、存储卡和固态硬盘等。
  2. 嵌入式系统,包括工业控制设备、网络通信设备和汽车电子系统。
  3. 数据记录设备,例如行车记录仪、监控摄像头和医疗设备。
  4. 移动设备,例如平板电脑、智能手机和其他便携式电子设备。

替代型号

TH58TEG8H2HBAS8, TH58TEG8H2HBAS7

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