时间：2025/5/13 16:56:27
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SIHB17N80AE-GE3 是一款由 SemiSouth 生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的硅 Carbide (SiC) 技术制造，具有高效率、低导通电阻和快速开关性能等特性。这些特点使其非常适合高频开关应用以及需要高功率密度的设计。
该 MOSFET 的额定电压为 1700V，能够承受较高的反向电压，同时具备较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，其封装形式通常为 TO-247，便于散热管理。
额定电压：1700V
额定电流：8A
导通电阻（典型值）：55mΩ
栅极电荷（Qg）：30nC
输入电容（Ciss）：1600pF
输出电容（Coss）：80pF
反向恢复时间（trr）：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SIHB17N80AE-GE3 的主要特性包括：
1. 高额定电压（1700V），适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），降低导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提高系统效率。
4. 先进的 SiC 技术确保了更高的效率和更小的尺寸。
5. 能够在高温环境下运行，扩展了其适用范围。
6. 优异的热稳定性和可靠性，适合长期高负荷工作。
7. 封装设计优化以改善散热性能，支持更高功率密度的应用场景。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
3. 电动汽车（EV）充电站及车载电源系统。
4. 工业电机驱动和不间断电源（UPS）。
5. 高压电力电子设备，如固态继电器和开关电源（SMPS）。
由于其卓越的性能和耐用性，它成为许多高压、高效能需求环境的理想选择。
SIHBR17D12M2E-GE3
C2M0160120D
FFNH30T6S
