类型：存储控制芯片
　　接口标准：USB 3.2 Gen 2x1 (10Gbps)
　　支持的存储接口：NAND Flash, SATA, NVMe（具体取决于固件配置）
　　内置控制器：支持TLC/MLC/3D NAND等多代NAND Flash
　　封装形式：QFN
　　工作温度范围：-40°C至85°C
　　电源电压：3.3V及1.8V等多种电压供电
　　尺寸：4mm x 4mm（具体取决于封装）

RTS5826-GR 具备多项先进的功能和技术，适用于各种便携式和高性能存储设备。该芯片支持USB 3.2 Gen 2标准，传输速率高达10Gbps，显著提升了数据读写性能。芯片内部集成了高性能ARM Cortex-M系列处理器，能够高效处理复杂的协议转换和数据管理任务。
　　RTS5826-GR支持多种类型的NAND Flash存储器，包括TLC、MLC以及3D NAND，具备强大的兼容性和灵活性。此外，通过固件配置，该芯片还可以支持SATA和NVMe存储协议，适用于多种存储架构。芯片内置的ECC引擎能够有效纠正数据传输过程中的错误，提升数据完整性和可靠性。
　　该芯片还具备节能特性，支持USB 3.0 U1/U2低功耗状态，有效延长便携设备的电池续航时间。同时，其QFN封装设计有助于提高系统的稳定性和耐用性，适合工业级应用环境。
　　RTS5826-GR还支持Secure Boot、加密存储、硬件级安全启动等功能，提供多层次的安全保护机制，防止未经授权的访问和固件篡改。

RTS5826-GR广泛应用于各种高性能USB存储设备，如USB 3.2 Gen 2闪存盘、便携式SSD、存储卡读卡器、移动硬盘盒等。由于其支持多种存储接口和NAND Flash类型，该芯片也常用于工业级和消费级嵌入式存储解决方案中，满足高速、大容量和高可靠性存储的需求。此外，该芯片适用于需要高速数据传输和低功耗特性的便携设备，如笔记本电脑扩展存储、外置固态硬盘（eSSD）、数字相机存储设备等。

RTS5821-GR, RTS5828-GR, VL820, ASMedia ASM2362