时间：2025/6/21 10:58:30
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SIHA6N65E-E3 是一款由 Vishay 生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道技术，设计用于高频开关应用。其高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合于各种工业和消费类电子产品中的功率转换、电机驱动以及负载开关等场景。
SIHA6N66E 系列产品以其卓越的电气性能和可靠性而闻名，能够在高温环境下稳定工作，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而提高了整体效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6.2A
导通电阻：1.2Ω
总栅极电荷：25nC
功耗：49W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SIHA6N65E-E3 具有以下主要特点：
1. 高击穿电压 (650V)，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (1.2Ω)，减少了传导损耗。
3. 优化的栅极电荷设计，提升了开关速度并降低了开关损耗。
4. 强大的雪崩能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 支持高频率操作，适用于多种开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅封装。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 逆变器和变频器控制。
3. LED 驱动电路。
4. 工业电机驱动和控制系统。
5. 各种类型的负载开关和保护电路。
6. 适配器和充电器解决方案。
由于其高性能表现，SIHA6N65E-E3 成为许多设计工程师在选择功率级组件时的理想选项。
SIHA6N65E-E3-D3
SIH5N65E-E3
IRF650N
