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HY57V651620BLTC-8 发布时间 时间:2025/9/1 12:11:37 查看 阅读:13

HY57V651620BLTC-8 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该型号属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别,常用于需要高速数据访问的电子设备中。

参数

容量:64MB(4M x 16 x 4 Banks)
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  时钟频率:166MHz(-6A)或143MHz(-7)
  数据宽度:16位
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  存储架构:同步DRAM(Synchronous DRAM)

特性

该芯片具备高存储密度和高速数据访问能力,适用于需要较大内存容量和较高性能的系统设计。其同步操作机制使得数据读写与系统时钟同步,提高了整体系统的稳定性与效率。
  采用TSOP封装技术,具备较好的散热性能与空间利用率,适合在紧凑的电路板布局中使用。此外,HY57V651620BLTC-8具备较低的功耗特性,适合用于嵌入式设备、网络设备以及消费类电子产品。
  其工业级温度范围设计确保了芯片在极端环境下的稳定运行,增强了设备的可靠性和适应性。此外,该型号具备较高的抗干扰能力和较长的使用寿命,适合用于长时间运行的系统。

应用

HY57V651620BLTC-8 主要用于嵌入式系统、网络设备(如路由器和交换机)、工业控制设备、通信设备以及部分消费类电子产品中。其高速、大容量和低功耗的特点使其成为中高端嵌入式系统的理想内存解决方案。
  在工业自动化领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)和工业计算机,以提供高效的数据处理能力。在网络设备中,它为数据包缓存和处理提供了稳定的内存支持。此外,该芯片也可用于多媒体设备、图像处理系统以及其他需要高性能内存支持的场景。

替代型号

IS42S16400F-6T、K4S641632K-TC10、MT48LC16M1A2B4-6A

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