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WSDF3316B 发布时间 时间:2025/5/26 21:22:16 查看 阅读:11

WSDF3316B是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,主要用于射频和微波通信系统。该芯片具有高增益、低噪声系数以及宽工作频带的特点,适用于多种无线通信应用场景。它采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,能够在高频段下提供稳定的性能表现。

参数

型号:WSDF3316B
  工作频率范围:0.8 GHz 至 4.0 GHz
  增益:16 dB ± 0.5 dB
  噪声系数:1.2 dB 典型值
  输入回波损耗:≥ 12 dB
  输出回波损耗:≥ 10 dB
  电源电压:3.3 V
  静态电流:35 mA 典型值
  封装形式:SOT-89
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

WSDF3316B具有以下主要特点:
  1. 高增益设计,可显著提升信号强度并降低误码率。
  2. 极低的噪声系数,保证了接收机的灵敏度。
  3. 宽广的工作频带,能够覆盖多种常见的无线通信频段。
  4. 稳定性好,在不同温度条件下性能波动小。
  5. 小巧封装尺寸便于集成到紧凑型电路板中。
  6. 易于驱动,仅需简单的外围元件即可实现完整功能。

应用

WSDF3316B广泛应用于以下领域:
  1. 无线局域网(WLAN)设备中的射频前端模块。
  2. 蜂窝网络基站的小型化设计。
  3. GPS和其他卫星导航系统的信号增强。
  4. 工业物联网(IIoT)终端设备中的无线通信部分。
  5. 汽车雷达与高级驾驶辅助系统(ADAS)。
  6. 医疗电子设备中的短距离无线传输组件。

替代型号

WSDF3317A, HMC1119LP5E, BGA234N7

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