您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SIGC25T120CX1SA4

SIGC25T120CX1SA4 发布时间 时间:2025/8/28 13:20:08 查看 阅读:11

SIGC25T120CX1SA4 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块采用了先进的沟道技术和场截止设计,具有出色的导通和开关性能。该模块封装在紧凑且坚固的外壳中,适用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)以及可再生能源系统等领域。SIGC25T120CX1SA4 的额定电压为 1200V,额定集电极电流为 25A,适合中高功率应用。

参数

类型:IGBT模块
  额定电压:1200V
  额定集电极电流:25A
  封装类型:紧凑型模块
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  短路耐受能力:6μs
  栅极电压范围:±20V
  导通压降:约1.75V(典型值)
  开关损耗(Eon/Eoff):低损耗设计
  热阻(Rth):优化设计以提高散热性能

特性

SIGC25T120CX1SA4 模块具备多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,该 IGBT 模块采用了先进的沟道技术与场截止结构,降低了导通压降并优化了开关损耗,从而提高了整体效率。导通压降(Vce_sat)在额定电流下约为1.75V,有助于降低导通损耗。
  其次,该模块具有优异的短路耐受能力,可持续承受高达6μs的短路电流,确保在突发故障情况下仍能保持稳定运行。这使其在工业电机控制和变频器等对可靠性要求较高的应用中表现出色。
  此外,SIGC25T120CX1SA4 支持较宽的栅极电压范围(±20V),提高了驱动灵活性,并具备良好的抗干扰能力。其封装设计优化了热管理性能,热阻(Rth)较低,有助于快速散热,从而延长器件寿命。
  最后,该模块具有良好的绝缘性能和机械强度,适用于严苛的工作环境,如高温、高湿度和电磁干扰较强的工业现场。

应用

SIGC25T120CX1SA4 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。其典型应用包括工业电机驱动(如变频器和伺服驱动器)、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、电动汽车充电设备以及智能电网系统等。在这些应用中,该模块能够提供高效的电能转换和稳定的运行性能,满足现代工业对能效和系统可靠性的双重需求。

替代型号

SGC25T120KR1SA4、STG25NC120KD1B4、STG25NM120HD1B4、SGC25T120KPA4、STG25NC120KDT4AG