时间：2025/8/24 15:07:17
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FQPF90N10 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电流和高功率的应用场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：90A
漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值8.5mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：200W
封装类型：TO-263（D2PAK）
FQPF90N10 的主要优势在于其极低的导通电阻，使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻典型值为5.5mΩ，在VGS = 10V时可确保MOSFET充分导通，降低温升。
此外，该MOSFET采用先进的平面工艺技术制造，具备良好的热稳定性和高可靠性。其封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，便于在PCB上安装，同时具备良好的散热性能。
该器件还具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压或感性负载切换时提供更高的鲁棒性，减少因电压尖峰而导致的器件损坏风险。
另外，FQPF90N10 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+10V至+15V驱动电压，适用于多种栅极驱动IC和控制电路。
FQPF90N10 常用于需要高效率、高电流能力的功率电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、电源分配系统以及汽车电子中的功率控制模块。
由于其高耐压和大电流能力，该器件也适用于工业电源、服务器电源、UPS（不间断电源）以及太阳能逆变器等高可靠性应用场景。
此外，FQPF90N10 还广泛用于H桥电路中，作为电机控制或逆变器输出级的开关元件，适用于工业自动化、机器人和电动车控制系统。
IRF1405, FDP90N10, FQP90N10
