时间：2025/12/23 15:49:48
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SIF5N65F是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高电压应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而可以有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：5.6A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：23nC
输入电容：960pF
总开关时间：75ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
SIF5N65F具备以下关键特性：
1. 高耐压能力（650V），适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（1.4Ω），有助于减少导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，能够满足高频开关需求。
4. 具有优秀的雪崩能力和抗静电能力，提升了器件在复杂环境中的可靠性。
5. 采用TO-220封装形式，便于安装与散热设计。
SIF5N65F主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 工业控制及电机驱动中的开关元件。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）中的核心功率器件。
4. 各类需要高电压、中等电流处理能力的应用场景。
SIF5N65G, IRF650N
