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GA0805H821JBXBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:05:23 查看 阅读:4

GA0805H821JBXBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效降低系统功耗并提升效率。
  该器件采用了先进的制造工艺,在保证可靠性的同时优化了电气性能。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)生产流程。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:5.6A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:14nC
  开关时间:ton=17ns, toff=12ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,可支持高频应用,降低电磁干扰(EMI)。
  3. 强化的热设计,确保在高功率条件下稳定运行。
  4. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,增强系统的可靠性和耐用性。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 封装紧凑,便于集成到各种电子设备中。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 各类工业及消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5560
  AON6902

GA0805H821JBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-