GA0805H821JBXBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效降低系统功耗并提升效率。
该器件采用了先进的制造工艺,在保证可靠性的同时优化了电气性能。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)生产流程。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:5.6A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:14nC
开关时间:ton=17ns, toff=12ns
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,可支持高频应用,降低电磁干扰(EMI)。
3. 强化的热设计,确保在高功率条件下稳定运行。
4. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,增强系统的可靠性和耐用性。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 封装紧凑,便于集成到各种电子设备中。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 各类工业及消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5560
AON6902