类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：1.2 A（Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.8 A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2 Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：50 W
　　输入电容（Ciss）：380 pF @ Vds=25V
　　栅极电荷（Qg）：13 nC @ Vgs=10V

SIF1N60EA-JR具有多项优良的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET具备600V的高漏源击穿电压，适用于中高功率开关应用，确保在高压环境下仍能稳定运行。栅源电压最大为±30V，提高了栅极控制的灵活性和抗干扰能力。
　　其次，SIF1N60EA-JR在Vgs=10V时的导通电阻（Rds(on)）为2.2Ω，这一数值相对较低，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的连续漏极电流可达1.2A，脉冲电流能力达到4.8A，表明其在瞬态负载条件下具备良好的承受能力。
　　在封装方面，SIF1N60EA-JR采用TO-252（DPAK）封装，这种表面贴装封装形式不仅体积小、便于自动化生产，而且具备良好的散热性能，适合高密度电源设计。其50W的最大功率耗散能力也进一步增强了其在高功率密度应用中的适应性。
　　高频性能方面，该MOSFET的输入电容为380pF，栅极电荷为13nC，这些参数使其在高频开关应用中具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适用于DC-DC转换器和高频电源变换器。
　　热性能方面，SIF1N60EA-JR的工作温度范围宽至-55℃至150℃，适应各种严苛环境下的稳定运行，确保在高温条件下仍能保持良好的电气性能和可靠性。

SIF1N60EA-JR的应用范围广泛，尤其适用于中高功率等级的电源系统设计。其高压特性使其成为开关电源（SMPS）中的理想选择，可作为主开关或同步整流器件，提高电源转换效率并减小整体体积。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）、降压（Buck）或反相（Inverting）拓扑结构，适用于工业电源、通信设备和嵌入式系统的供电管理。
　　在电机控制领域，SIF1N60EA-JR可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。由于其具备较高的耐压能力和良好的热稳定性，也适用于负载开关、继电器替代电路以及LED照明驱动电路。
　　此外，SIF1N60EA-JR还适用于电源适配器、充电器、家电控制板、智能电表和工业自动化设备中的功率控制模块。

FQP1N60C, STP1N60Z, IRF640N, 2SK2545