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FDD2670 发布时间 时间:2025/5/23 21:14:17 查看 阅读:16

FDD2670是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高频开关电路、功率转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式通常为TO-220,适合大电流和高效率的应用需求。
  该MOSFET在电源管理领域具有较高的性价比,适用于工业级和消费级电子设备中的多种场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:43A
  导通电阻:5mΩ
  总栅极电荷:85nC
  输入电容:1300pF
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

FDD2670的核心优势在于其超低的导通电阻(5mΩ),这有助于减少导通损耗并提高整体效率。同时,它具备快速的开关速度,能够有效降低开关损耗,非常适合高频应用环境。
  此外,该器件还具有良好的热稳定性,在高温环境下依然能保持稳定的性能输出。其封装设计便于散热,进一步提升了器件的可靠性。
  对于需要处理大电流的应用场景,例如电动工具、不间断电源(UPS)或逆变器,FDD2670是理想的选择。由于其高效的功率转换能力,该器件在节能和空间受限的设计中表现尤为突出。

应用

FDD2670广泛应用于各类功率电子系统中,包括但不限于以下场景:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动与控制
  - UPS不间断电源
  - 太阳能逆变器
  - 电动工具及家电驱动
  由于其高电流承载能力和低功耗特性,这款MOSFET特别适合对效率和热管理要求较高的场合。

替代型号

FDP5500
  IRFZ44N
  STP40NF06L

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FDD2670参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 3.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1228pF @ 100V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装带卷 (TR)