时间：2025/9/1 10:18:15
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IS43TR16128AL-125KBL 是由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用了先进的CMOS工艺制造，提供高速、低功耗和高可靠性的特性，适用于需要快速数据存取的工业、通信、网络设备和嵌入式系统等领域。该芯片为异步SRAM，其存储容量为16Mb（128K x 16位），工作电压为3.3V，封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于集成到各种电子系统中。
容量：16Mb（128K x 16位）
电压：3.3V
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：12ns
工作模式：异步
数据宽度：16位
输入/输出逻辑电平：LVTTL
封装引脚数：54
最大工作频率：125MHz
功耗：典型值180mA（工作模式）
IS43TR16128AL-125KBL 是一款高性能的异步SRAM芯片，其核心优势在于高速存取和低功耗设计。该芯片的访问时间仅为12ns，支持125MHz的工作频率，能够满足对数据处理速度有较高要求的应用场景。其128K x 16位的组织结构提供了16Mb的存储容量，适用于缓存、图像处理、实时控制等需要大量快速数据交换的系统。采用LVTTL逻辑电平接口，使其兼容大多数现代数字系统的设计标准，便于集成和扩展。此外，该芯片在工作模式下的典型电流消耗为180mA，待机电流低至10mA，有效降低了系统的整体功耗，提高了能效比。其TSOP封装结构不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境下的稳定运行。
IS43TR16128AL-125KBL 广泛应用于需要高速数据存储与快速访问的电子系统中，例如网络交换设备、通信基站、工业控制系统、嵌入式处理器系统、视频采集与显示设备、测试仪器以及汽车电子控制系统等。其高可靠性和低功耗特性也使其适用于需要长时间运行和高稳定性要求的工业现场环境。
IS42S16128AL-125MA, CY7C1041CV33-12ZSXC, IDT71V128SA125B
