您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SIF18N65F

SIF18N65F 发布时间 时间:2025/7/4 0:33:20 查看 阅读:7

SIF18N65F是一种N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。其高击穿电压(650V)和低导通电阻使其成为高效能功率转换应用的理想选择。
  这款MOSFET具备快速开关速度和低栅极电荷特性,有助于减少开关损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:3.5Ω
  栅极电荷:38nC
  总电容:2050pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

SIF18N65F具有以下关键特性:
  1. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠性。
  2. 低导通电阻降低了传导损耗,从而提高了整体效率。
  3. 快速的开关速度使得器件非常适合高频应用。
  4. 低栅极电荷进一步减少了开关过程中的能量损失。
  5. 工作温度范围宽广,适用于极端环境条件。
  6. TO-247封装提供了良好的散热性能,适合大功率应用。

应用

SIF18N65F广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 太阳能逆变器
  5. UPS不间断电源
  6. 各类工业功率转换设备

替代型号

IRFP460, STP18NF55

SIF18N65F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价