时间：2024/5/7 15:52:38
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GD25Q16ESIGR(16M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)，双/四SPI:串行时钟，芯片选择，串行数据I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。Dual I/O传输速率为266Mbit/s, Quad I/O传输速率为532Mbit/s。
16M位串行闪存
2048K字节
每个可编程页面256字节
标准二重的四路SPI
标准：SCLK、CS#、SI、SO、。保持#
双SPI：SCLK、CS#、IO1、WP#、HOLD#
四路：SCLK，CS#，102。
高速时钟频率
133MHz用于30PF负载的快速读取
双I/O数据传输敢达266Mbit/s
四路O数据传输高达532Mbit/s
软件/硬件写入保护
通过软件对所有/部分内存进行写保护
使用WP#引脚启用/禁用保护
顶部/底部块保护
耐久性和数据保留
最少100000个编程/擦除周期
典型的20年数据保留期
允许XiP(就地执行)操作
高速读取减少了整个XiP指令获取时间
带包装的连续读取进一步减少了填充SoC缓存的数据延迟
| 商品分类 | NOR FLASH | 品牌 | GigaDevice(兆易创新) |
| 封装 | SOP-8_208mil | 包装 | 圆盘 |
GD25Q16ESIGR原理图
GD25Q16ESIGR引脚图
GD25Q16ESIGR封装
GD25Q16ESIGR料号解释
