时间：2025/4/27 12:32:15
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SIC631CD-T1-GE3 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，由 GeneSiC Semiconductor 公司生产。该器件采用 TO-247 封装，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高效率电源转换器、电机驱动、不间断电源 (UPS) 等领域。
碳化硅 MOSFET 的材料特性使其在高温、高频和高功率密度的应用中表现出色，相比传统硅基 MOSFET，它能够显著降低开关损耗和导通损耗。
额定电压：1200V
额定电流：30A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1140pF
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247-3
SIC631CD-T1-GE3 采用先进的 SiC 技术，具备以下特点：
1. 高击穿电压能力，支持高达 1200V 的应用环境。
2. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作，从而减小无源元件体积并提高系统效率。
4. 出色的热稳定性，在极端温度条件下仍能保持稳定运行。
5. 超低反向恢复电荷，有助于进一步降低开关损耗。
6. 高可靠性设计，适用于恶劣工业环境。
SIC631CD-T1-GE3 广泛应用于需要高效功率转换和高频开关的场景，具体包括：
1. 太阳能逆变器中的 DC-AC 转换电路。
2. 电动汽车 (EV) 充电器和牵引逆变器。
3. 不间断电源 (UPS) 和服务器电源模块。
4. 工业电机驱动器和变频控制器。
5. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
6. 风力发电和其他可再生能源系统的功率调节设备。
SIC632CD-T1-GE3
SIC630CD-T1-GE3
