类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　连续漏极电流（ID）：15A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.95Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：67nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

SOPUB09-TR-X 具备多项优异的电气特性和设计优势。其高漏源电压（900V）使其适用于高压电源应用，例如开关电源（SMPS）和工业控制设备。低导通电阻（RDS(on)）为 0.95Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）仅为 67nC，使得在高频开关应用中具有更低的开关损耗，从而提高了动态响应能力。
　　该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动贴片工艺，降低了生产成本并提高了组装效率。SOPUB09-TR-X 的输入电容（Ciss）为 1200pF，有助于减少高频噪声干扰，提升电路的稳定性。其宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃）确保了在恶劣环境条件下的可靠运行。
　　另外，SOPUB09-TR-X 还具备较强的短路耐受能力和抗过热保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。这些特性使该 MOSFET 成为高性能电源管理系统的理想选择。

SOPUB09-TR-X 主要用于需要高压和高效率的电源系统中。典型应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、照明系统（如 LED 驱动器）、工业自动化设备和不间断电源（UPS）。在这些应用中，该器件能够提供高效的能量转换和稳定的输出电压，同时减少热损耗和提高系统可靠性。
　　由于其高耐压能力和低导通电阻，SOPUB09-TR-X 在高压 DC-DC 转换器中表现尤为出色，能够支持大电流输出并保持良好的热管理性能。在电机控制应用中，该 MOSFET 可以提供快速的开关响应和高效的功率调节能力，适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动器。
　　此外，该器件还适用于工业控制和自动化设备中的高功率开关电路，确保设备在长时间运行中保持稳定性和可靠性。由于其表面贴装封装，SOPUB09-TR-X 也广泛应用于现代电子设备中，如消费类电子产品、通信设备和智能家电。

SOPUB10-TR-X, SOPUB08-TR-X, IXFH15N90Q, IRFPG50