ME7170是一款由MELEXIS公司生产的高性能、单片集成的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于汽车和工业领域。该芯片设计用于检测磁场变化,并将磁场强度转换为相应的电压输出,适用于位置、速度和方向检测等应用。
供电电压:4.5V至5.5V
输出类型:模拟电压输出
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:SOIC-8
灵敏度:2.5mV/G
频率响应:0Hz至20kHz
最大工作电流:10mA
ME7170采用先进的CMOS技术制造,具有高灵敏度和低噪声特性,能够在高温环境下稳定工作。该芯片内置温度补偿电路,可有效减少因温度变化引起的测量误差,提高了测量的准确性。此外,ME7170还集成了过压保护和反向电压保护功能,增强了设备的可靠性和耐用性。其模拟输出特性使其适用于连续测量磁场强度的应用场景,如线性位置检测、角度检测和转速测量等。
ME7170的霍尔传感器元件对垂直方向的磁场敏感,能够检测到微弱的磁场变化,并将其转换为成比例的电压信号输出。该芯片的高线性度和低漂移特性确保了测量结果的高精度。此外,由于其单片集成的设计,ME7170在使用过程中无需额外的信号调节电路,简化了系统设计并降低了成本。
ME7170常用于汽车电子系统中的位置检测和速度测量,例如用于检测节气门位置、转向角传感器、凸轮轴位置传感器等。在工业自动化领域,ME7170可用于无接触位置检测、流量计和液位传感器等设备。此外,ME7170还广泛应用于电动工具、无刷直流电机和家用电器中,用于检测电机转速和方向。由于其高可靠性和宽温度范围,ME7170也适用于严苛环境下的工业控制和监测系统。
MLX90242, HAL 1001