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SIAA00DJ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/8/2 5:50:58 查看 阅读:33

SIAA00DJ-T1-GE3是一款由Vishay公司生产的表面贴装整流二极管,专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用了先进的硅技术,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,使其非常适合用于开关电源、DC/DC转换器以及续流二极管等场合。SIAA00DJ-T1-GE3采用紧凑的SOD-123封装,具有良好的热性能和电气性能,适用于各种电子设备中的电源管理电路。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大平均整流电流(IF(AV)):300mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):2A
  正向电压降(VF):典型值1.0V(在300mA时)
  反向漏电流(IR):最大值100nA(在100V时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C
  恢复时间(trr):最大值50ns

特性

SIAA00DJ-T1-GE3具有多项优异的电气和机械特性,使其在各种电源应用中表现出色。首先,该器件的低正向压降有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。其次,其快速恢复时间使其能够在高频开关应用中保持高效能,减少开关损耗。
  此外,SIAA00DJ-T1-GE3采用SOD-123封装,具有良好的热管理和机械稳定性,能够在高温环境下稳定工作。该封装还具有较小的占板面积,适合高密度PCB布局。
  该器件的反向漏电流非常低,确保在高反向电压下仍能保持良好的绝缘性能。同时,其耐浪涌电流能力较强,能够承受短时间的高电流冲击,提高了系统的可靠性和稳定性。
  由于其优异的性能和可靠性,SIAA00DJ-T1-GE3广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域。

应用

SIAA00DJ-T1-GE3主要用于各种电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC/DC转换器、AC/DC整流电路、续流二极管以及反激式变换器等。此外,它还适用于电池充电器、LED驱动器、电机控制电路以及需要高效能二极管的电子设备中。由于其紧凑的封装和良好的热性能,该器件也适合用于空间受限的应用场合。

替代型号

1N4148WS-7-F, BAW56, 1N4448

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SIAA00DJ-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.41000剪切带(CT)3,000 : ¥2.20652卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20.1A(Ta),40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.6 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)24 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+16V,-12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1090 pF @ 12.5 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.5W(Ta),19.2W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SC-70-6
  • 封装/外壳PowerPAK? SC-70-6