SST39VF1681-70-4C-EK 是由 Microchip(原 SST)生产的一款高性能、低功耗的并行 NOR 闪存芯片。该器件采用 SuperFlash 技术,提供高可靠性、快速读取和编程性能。适用于需要非易失性存储器的工业控制、通信设备、网络设备和消费类电子产品。
容量:1M x16(即16MB)
电压范围:2.7V 至 3.6V
访问时间:70ns
封装类型:48-TSOP
工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据总线宽度:16位
封装尺寸:18.4mm x 12.8mm
读取电流(最大):15mA
待机电流(最大):10μA
SST39VF1681-70-4C-EK 采用 SST 公司独有的 SuperFlash? 技术,这种技术基于 split-gate 单元结构,提供了比传统闪存更高的擦写耐久性和更低的功耗。其擦除和编程操作效率较高,适用于频繁更新数据的应用场景。
这款芯片支持页编程模式,可以显著提高写入速度。同时,它内置硬件数据保护机制,防止在低电压条件下发生误写入或误擦除操作,提高了系统的稳定性与安全性。
该器件的读取访问时间为70ns,适合需要高速数据访问的嵌入式系统。此外,SST39VF1681 支持 JEDEC 标准的引脚排列和封装尺寸,方便与现有的 NOR 闪存兼容系统进行替换和升级。
芯片内部集成了多个保护机制,包括软件数据保护、硬件写保护引脚(WP#)以及电源电压监控电路。这些功能有效防止了在不适宜的条件下对存储内容的修改,增强了数据完整性。
另一个显著特点是其高擦写次数性能,支持高达10万次的擦写周期,适用于需要频繁写入和更新数据的应用场景。
SST39VF1681-70-4C-EK 主要用于需要高速读取和频繁写入的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制系统、网络设备、路由器、交换机、智能卡读写器、医疗设备、手持终端、POS 机等。由于其低功耗和高可靠性,也广泛应用于对电源管理和数据稳定性要求较高的消费类电子产品中。
SST39VF1680, AM29LV160DB, MX29LV160BE