WVM7N65 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用中。其设计采用了先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和高效率,同时具备出色的开关性能。
该型号的工作电压高达 650V,非常适合高压应用环境。由于其优异的电气特性和可靠性,WVM7N65 广泛应用于工业、消费类电子以及汽车电子领域。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:7A
导通电阻(典型值):0.9Ω
栅极电荷:43nC
输入电容:1250pF
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
WVM7N65 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力,支持最高 650V 的漏源电压,确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体效率。
3. 快速的开关特性,适合高频应用场合。
4. 强大的过流保护能力和热稳定性,增强了器件的可靠性和使用寿命。
5. 小型封装选项,便于电路板布局和优化空间利用率。
6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境下的应用需求。
WVM7N65 可广泛应用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器和升降压模块。
3. 电机驱动电路,包括步进电机、无刷直流电机等。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统。
5. 工业控制设备中的功率开关元件。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
IRF840, STP7NC65, FQA14N65C