时间：2025/6/4 12:38:36
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WVM7N65 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用中。其设计采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高效率，同时具备出色的开关性能。
该型号的工作电压高达 650V，非常适合高压应用环境。由于其优异的电气特性和可靠性，WVM7N65 广泛应用于工业、消费类电子以及汽车电子领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：0.9Ω
栅极电荷：43nC
输入电容：1250pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
WVM7N65 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，支持最高 650V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高整体效率。
3. 快速的开关特性，适合高频应用场合。
4. 强大的过流保护能力和热稳定性，增强了器件的可靠性和使用寿命。
5. 小型封装选项，便于电路板布局和优化空间利用率。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
WVM7N65 可广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器和升降压模块。
3. 电机驱动电路，包括步进电机、无刷直流电机等。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统。
5. 工业控制设备中的功率开关元件。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
IRF840, STP7NC65, FQA14N65C
