SIA922EDJ-T1-GE3是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于安森美(onsemi)推出的SemiGaN系列。该器件采用常关型设计,支持高频开关操作,广泛应用于电源转换、工业驱动和通信基础设施等领域。其高电子迁移率晶体管(HEMT)结构确保了卓越的效率与可靠性。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:14A
导通电阻:170mΩ
栅极电荷:80nC
开关频率:超过2MHz
封装形式:TO-247-4L
SIA922EDJ-T1-GE3采用了增强型氮化镓技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,可显著降低开关损耗和传导损耗。
该器件内置ESD保护电路,提升了系统级的鲁棒性。
此外,它具备较低的寄生电感和优化的热性能,使其非常适合高密度功率转换应用。
其常关型设计也增强了使用中的安全性,简化了驱动电路的设计流程。
该芯片适用于多种高频高效的电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 图腾柱PFC电路
4. 光伏逆变器
5. 电动汽车车载充电器(OBC)
6. 工业电机驱动
SIA922BDJ-T1-GE3
SIA922CDJ-T1-GE3