时间：2025/5/29 21:51:06
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SIA922EDJ-T1-GE3是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于安森美（onsemi）推出的SemiGaN系列。该器件采用常关型设计，支持高频开关操作，广泛应用于电源转换、工业驱动和通信基础设施等领域。其高电子迁移率晶体管（HEMT）结构确保了卓越的效率与可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：170mΩ
栅极电荷：80nC
开关频率：超过2MHz
封装形式：TO-247-4L
SIA922EDJ-T1-GE3采用了增强型氮化镓技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可显著降低开关损耗和传导损耗。
该器件内置ESD保护电路，提升了系统级的鲁棒性。
此外，它具备较低的寄生电感和优化的热性能，使其非常适合高密度功率转换应用。
其常关型设计也增强了使用中的安全性，简化了驱动电路的设计流程。
该芯片适用于多种高频高效的电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 图腾柱PFC电路
4. 光伏逆变器
5. 电动汽车车载充电器（OBC）
6. 工业电机驱动
SIA922BDJ-T1-GE3
SIA922CDJ-T1-GE3
