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SIA922EDJ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/29 21:51:06 查看 阅读:9

SIA922EDJ-T1-GE3是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于安森美(onsemi)推出的SemiGaN系列。该器件采用常关型设计,支持高频开关操作,广泛应用于电源转换、工业驱动和通信基础设施等领域。其高电子迁移率晶体管(HEMT)结构确保了卓越的效率与可靠性。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:170mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关频率:超过2MHz
  封装形式:TO-247-4L

特性

SIA922EDJ-T1-GE3采用了增强型氮化镓技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,可显著降低开关损耗和传导损耗。
  该器件内置ESD保护电路,提升了系统级的鲁棒性。
  此外,它具备较低的寄生电感和优化的热性能,使其非常适合高密度功率转换应用。
  其常关型设计也增强了使用中的安全性,简化了驱动电路的设计流程。

应用

该芯片适用于多种高频高效的电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 图腾柱PFC电路
  4. 光伏逆变器
  5. 电动汽车车载充电器(OBC)
  6. 工业电机驱动

替代型号

SIA922BDJ-T1-GE3
  SIA922CDJ-T1-GE3

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SIA922EDJ-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)64 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • 功率 - 最大值7.8W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳PowerPAK? SC-70-6 双
  • 供应商器件封装PowerPAK? SC-70-6 双