时间：2025/9/2 5:56:28
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H5TQ4G83BFR-PBC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）类别。该芯片采用先进的3D堆叠技术制造，具有较高的数据传输速率和较低的功耗，适用于需要高性能计算和数据密集型应用的设备，如显卡、AI加速器、超级计算机和高端图形处理单元（GPU）。H5TQ4G83BFR-PBC 的封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有多个堆叠的存储层，提供更高的存储密度和带宽。
型号：H5TQ4G83BFR-PBC
制造商：SK Hynix
类型：DRAM
存储类型：HBM（High Bandwidth Memory）
容量：4GB
接口：HBM接口
数据速率：3.0 Gbps
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：1024
数据宽度：1024位
温度范围：商业级（0°C至85°C）
H5TQ4G83BFR-PBC 是一款高性能的HBM DRAM存储器芯片，采用先进的3D堆叠技术，显著提高了存储带宽和存储密度。其主要特性包括高带宽、低功耗和紧凑的封装设计。
首先，该芯片的带宽显著高于传统的GDDR5或DDR4内存。由于采用了1024位宽的接口和3.0 Gbps的数据速率，H5TQ4G83BFR-PBC 能够提供高达每秒数百GB的数据传输速率，满足高性能计算、图形处理和AI加速等应用对内存带宽的高需求。
其次，该芯片采用了低功耗设计，适合用于高性能但功耗受限的设备。HBM内存结构允许更短的信号路径，从而减少了信号损耗和功耗。此外，该芯片的工作电压为1.8V，进一步降低了功耗并提高了能效。
第三，H5TQ4G83BFR-PBC 采用了BGA（Ball Grid Array）封装，尺寸紧凑，适合高密度主板设计。与传统的内存模块相比，HBM内存通过3D堆叠技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一个基板上，大大减少了PCB空间占用，提高了系统的集成度。
最后，该芯片的3D堆叠技术和高带宽特性使其成为适用于GPU、AI加速器、高性能计算（HPC）系统和数据中心的理想选择。其高可靠性和先进的制造工艺确保了在高负载和复杂环境下稳定运行。
H5TQ4G83BFR-PBC 主要应用于需要高性能存储和高带宽内存的设备和系统，包括高端显卡（GPU）、人工智能加速器、深度学习和机器学习计算设备、高性能计算（HPC）系统、数据中心服务器、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）设备以及高性能图形处理和计算平台。
在GPU和显卡方面，该芯片能够提供更高的显存带宽，显著提升图形渲染性能和帧率，适用于游戏、专业图形设计和视频编辑等应用。在AI和机器学习领域，H5TQ4G83BFR-PBC 的高带宽和低延迟特性使其能够快速处理大量数据，提高训练和推理效率。对于HPC系统和数据中心，该芯片能够支持大规模并行计算和数据密集型任务，提高整体计算效率。此外，在VR和AR设备中，该芯片可以提供更流畅的视觉体验和更低的延迟，提升用户沉浸感。
由于其紧凑的封装设计和低功耗特性，H5TQ4G83BFR-PBC 也适用于空间受限但需要高性能内存的嵌入式系统和边缘计算设备。
H5TQ4G83AFR-PBC, H5TQ2G83EFR-PBC, H5TC8G64AMR-PBA
