时间：2025/8/2 8:04:27
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DMP3036SSD-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，能够在低电压应用中提供高性能和高效率。DMP3036SSD-13 的封装形式为 SOP-8，适合表面贴装，适用于空间受限的设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-6A
导通电阻(Rds(on))：58mΩ @ Vgs = -10V, 80mΩ @ Vgs = -4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOP-8
DMP3036SSD-13 具有多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效减少功率损耗并提高效率。在 Vgs 为 -10V 时，Rds(on) 仅为 58mΩ，在 Vgs 为 -4.5V 时为 80mΩ，这使得该器件能够在不同的工作条件下保持较低的导通损耗。
其次，DMP3036SSD-13 采用了先进的 TrenchFET 技术，这种技术能够提供更高的单位面积电流密度，从而在有限的封装尺寸下实现更高的性能。TrenchFET 结构还能够降低栅极电荷（Qg），加快开关速度，从而减少开关损耗。
此外，该器件支持 ±20V 的栅源电压（Vgs），具有较强的抗电压波动能力，能够在复杂的电源环境中保持稳定的工作状态。DMP3036SSD-13 的最大漏源电压为 -30V，最大连续漏极电流为 -6A，适用于多种中低功率的电源管理应用。
最后，该器件的 SOP-8 封装形式不仅节省空间，而且便于表面贴装，适用于自动化生产流程。同时，SOP-8 封装具有良好的热性能，能够有效地将热量传导出去，提高器件的可靠性和使用寿命。
DMP3036SSD-13 适用于多种电源管理和负载开关应用。常见应用场景包括直流-直流转换器（DC-DC Converters）、同步整流器、电池供电设备中的负载开关、电源管理系统以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高效率特性，DMP3036SSD-13 特别适合用于需要高效能和低功耗设计的便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他消费类电子产品。
在电源管理系统中，DMP3036SSD-13 可用于实现高效的电源切换和负载管理。在同步整流电路中，该器件能够替代传统的肖特基二极管，显著降低导通压降，提高整体转换效率。此外，该器件也可用于电机驱动电路中的 H 桥结构，提供快速的开关响应和低损耗的功率传输。
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"DMG3055SSD-13",
"Si4435BDY",
"IRML28034"
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