时间：2025/6/21 21:22:23
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T20N06HD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其设计旨在满足功率转换、电机驱动和负载开关等应用需求。T20N06HD采用TO-220封装形式，能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.08Ω
栅极电荷：15nC
开关时间：开启时间10ns，关断时间35ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
T20N06HD具有低导通电阻特性，可减少功率损耗并提高效率。
其高开关速度使其非常适合高频应用环境。
由于采用了TO-220封装，这款MOSFET具备良好的散热性能，有助于在高功率场景下保持稳定性。
该器件还具有较高的雪崩击穿能力，增强了系统的可靠性。
T20N06HD广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及负载开关等领域。
其高频性能和低导通电阻特别适合于需要高效能量转换的场景。
此外，它也常用于工业控制设备和汽车电子系统中。
IRFZ44N
STP20NF06
FDP17N6L
