时间：2025/8/2 6:14:59
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SIA477EDJ-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 公司生产的一款高性能 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 T1-GE3 封装形式。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及 DC-DC 转换器等场合。SIA477EDJ-T1-GE3 以其低导通电阻（RDS(on)）、高效率和小型封装的特点，适用于需要高效能和空间节省的设计。该 MOSFET 支持逻辑电平驱动，使其能够与标准逻辑 IC 直接接口。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：-7.8A（连续）
导通电阻 RDS(on)：38mΩ @ VGS = 10V
导通电阻 RDS(on)：53mΩ @ VGS = 4.5V
栅极电荷（Qg）：20nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：T1-GE3
功率耗散（PD）：2.8W
SIA477EDJ-T1-GE3 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高的效率。其 RDS(on) 在 VGS = 10V 时仅为 38mΩ，在 VGS = 4.5V 时为 53mΩ，表明该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的性能，适合与标准逻辑控制器配合使用。
此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为 -7.8A，适用于中高功率的负载开关或电源转换应用。其栅极电荷（Qg）为 20nC，有助于减少开关损耗，提高整体效率。
该器件的封装形式为 T1-GE3，是一种小型表面贴装封装，适用于自动装配工艺，节省 PCB 空间，适合高密度布局。SIA477EDJ-T1-GE3 还具备良好的热稳定性，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适应各种严苛环境下的应用需求。
该 MOSFET 的功率耗散为 2.8W，具有良好的散热性能，适合在中等功率应用中使用。同时，其 ±20V 的栅源电压耐受能力提供了更高的安全裕量，防止栅极过压损坏。
综上所述，SIA477EDJ-T1-GE3 凭借其低导通电阻、逻辑电平驱动能力、高电流承载能力和紧凑封装，成为众多电源管理应用的理想选择。
SIA477EDJ-T1-GE3 常用于多种电源管理和开关控制应用。其典型应用场景包括负载开关、电池供电设备中的电源切换、DC-DC 转换器中的同步整流、电机驱动电路以及电源管理系统中的高侧或低侧开关。此外，该器件还可用于工业控制系统、消费类电子产品（如笔记本电脑和平板电脑）、通信设备以及便携式医疗设备等需要高效能和小型化设计的场合。由于其支持逻辑电平驱动，SIA477EDJ-T1-GE3 可直接与微控制器或数字逻辑 IC 接口，实现对功率负载的精确控制。
Si4477BDY-T1-GE3, IRML6401TRPBF, FDC640P, NTR1P02MR3
