DSA110-18E 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的双通道高速功率晶体管驱动芯片,属于其高功率栅极驱动器系列。该芯片专为驱动高功率MOSFET和IGBT(绝缘栅双极晶体管)设计,广泛用于电机控制、工业自动化、电动汽车、可再生能源系统(如太阳能逆变器)等高功率应用场合。DSA110-18E 采用高性能的高压电平转换技术,能够在恶劣的工作环境下提供稳定可靠的驱动能力。该芯片具备良好的抗干扰能力、快速的开关响应以及低输出阻抗,确保功率器件的高效运行。
工作电压范围:18V
最大输出电流:±4A
输入逻辑电压范围:3.3V~15V
开关延迟时间:典型值约9ns
上升时间:典型值6ns
下降时间:典型值5ns
工作温度范围:-40°C ~ +150°C
封装类型:SO-16
隔离电压:1700V(最大)
DSA110-18E 的核心特性之一是其采用了STMicroelectronics先进的高压电平转换技术,使得该芯片能够在高dv/dt环境下保持稳定工作,有效防止误触发。其双通道驱动结构支持独立的上下桥臂驱动,适用于半桥和全桥拓扑结构。
另一个显著特性是其强大的输出驱动能力,能够提供高达±4A的峰值电流,这有助于加快功率器件的导通与关断过程,降低开关损耗并提升系统效率。
此外,DSA110-18E 内部集成了欠压保护(UVLO)功能,确保在供电电压低于安全阈值时自动关闭输出,从而保护功率器件免受损坏。芯片还具备热关断保护功能,以防止因过热导致的故障。
在抗干扰能力方面,DSA110-18E 通过优化的布局设计和内部屏蔽技术,具有出色的抗噪声性能,能够在高电磁干扰(EMI)环境中保持稳定的驱动信号输出。
该芯片的封装为SO-16,体积小巧,便于PCB布局和散热设计,适合工业级和汽车级应用需求。
DSA110-18E 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如,在电动汽车(EV)充电系统、电机驱动器、太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业变频器以及智能电网设备中,DSA110-18E 都能发挥出色的性能。
在电动汽车充电系统中,DSA110-18E 被用来驱动高功率IGBT或SiC MOSFET,实现快速、稳定的能量转换。
在电机驱动领域,DSA110-18E 能有效提升驱动效率,减少功率损耗,增强系统的响应速度和稳定性。
对于太阳能逆变器,DSA110-18E 提供了高可靠性的驱动方案,支持高频开关操作,提高整体系统的能量转换效率。
此外,该芯片也广泛用于各类工业变频器和UPS系统中,作为关键的功率器件驱动模块,确保系统在高负载和复杂环境下的稳定运行。
Si8235BBC-C-ISR, 1ED020I12-F2, IRS2104S