时间：2025/8/2 6:30:56
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SIA415DJ-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 推出的一款高性能双N沟道增强型MOSFET芯片，采用TSSOP封装形式，适用于高效率电源管理和负载开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适合在电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统中使用。
类型：双N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7.3A
导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP
SIA415DJ-T1-GE3 具备优异的导通性能和低开关损耗，其双N沟道结构允许在高负载条件下实现高效的电流传输。器件的导通电阻仅为22mΩ，使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有高栅极电荷容限，支持快速开关操作，适用于高频开关应用。芯片内部的热设计优化确保了在高温环境下依然能够保持稳定运行。
该器件还具备良好的抗静电能力和过载保护性能，提高了在复杂电子系统中的可靠性。TSSOP封装形式提供了较小的PCB占位面积，适合空间受限的设计环境。SIA415DJ-T1-GE3 的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的开发。
SIA415DJ-T1-GE3 主要应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理系统。它也广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统中。由于其优异的导通特性和高开关速度，该器件非常适合用于需要高效率和快速响应的电力电子系统。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、通信设备和汽车电子系统的电源控制模块。
Si4156DY-T1-GE3, SIA415EDJ-T1-GE3
