时间：2025/7/11 13:13:47
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FN31N472J101PXG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于需要高效率、快速开关和低导通电阻的应用场景。它具有较高的击穿电压和较低的导通电阻，能够支持高频开关操作，适合用在电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等应用中。
该型号由知名半导体厂商生产，其设计旨在提供卓越的电气性能和可靠性，以满足现代电子设备对功率效率和小型化的需求。FN31N472J101PXG 的封装形式为 TO-263（DPAK），这种封装有助于提高散热性能并简化 PCB 布局。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：8Ω（典型值）
栅极电荷：25nC（典型值）
总电容：250pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
功耗：20W（在壳温为 25°C 时）
FN31N472J101PXG 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：高达 470V 的漏源电压使其适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：其典型的 8Ω 导通电阻可以降低功率损耗，从而提升整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和总电容确保了快速的开关速度，非常适合高频应用。
4. 可靠性高：经过严格的质量控制流程，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
5. 小型封装：TO-263 封装形式既节省空间又便于安装。
6. 广泛的工作温度范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的极端温度条件下正常工作。
FN31N472J101PXG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：由于其高效率和快速开关性能，特别适合用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
2. 电机驱动：可用于无刷直流电机（BLDC）驱动电路中，提供高效的功率控制。
3. 工业自动化：在工业控制和自动化系统中，作为功率开关或负载驱动元件。
4. 汽车电子：适用于汽车中的各种电子控制系统，如电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）等。
5. 照明控制：用于 LED 驱动器和其他照明系统的功率调节。
6. 通信设备：在基站、路由器和其他通信设备中作为功率开关使用。
IRF840A, FQA19P12X, STW45N60DM2
