CEB35P03 时间：2025/8/1 23:38:57 阅读：20

CEB35P03 是一款由 Central Semiconductor 制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效功率管理的电子电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。CEB35P03 采用了先进的工艺技术，提供了优良的导通性能和热稳定性，适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-10A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 28mΩ（当 Vgs = -10V）
　　功率耗散（Pd）：35W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

CEB35P03 是一款性能优越的功率 MOSFET，具备多项显著特性。首先，其 P 沟道结构设计使其在关闭状态下能够承受较高的漏源电压，适用于多种高电压应用场景。最大漏源电压为 -30V，使得该器件在许多中低功率系统中都能稳定运行。此外，该器件的最大连续漏极电流为 -10A，在 25°C 的环境温度下表现出色，能够支持较高负载需求。
　　导通电阻方面，CEB35P03 在栅源电压为 -10V 时，Rds(on) 仅为约 28mΩ。这一低导通电阻值有助于减少导通损耗，提高系统效率，并降低发热量，从而提升整体可靠性。功率耗散能力达到 35W，进一步增强了其在高功率密度应用中的适用性。
　　该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在极端环境条件下保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。CEB35P03 采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热能力和机械稳定性，便于安装在各种 PCB 设计中。

应用

CEB35P03 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **DC-DC 转换器**：由于其低导通电阻和高功率处理能力，CEB35P03 非常适合用于同步整流和升压/降压转换器中，以提高转换效率并减少热量产生。
　　2. **负载开关**：在需要控制大电流负载的场合，如电池管理系统、电源管理模块中，CEB35P03 可作为高效开关器件，实现快速开关控制并减少功耗。
　　3. **电机控制**：该器件适用于无刷直流电机（BLDC）驱动电路和 H 桥拓扑结构，提供稳定的电流控制和高效的功率输出。
　　4. **电源管理**：CEB35P03 可用于电源管理系统中，如笔记本电脑、服务器、工业设备等的电源开关和稳压电路。
　　5. **汽车电子**：凭借其宽工作温度范围和高可靠性，CEB35P03 可用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电动辅助系统等。