类型：NPN 型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110 @ Ic=2mA, Vce=5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

CR321212FT 晶体管具有多项优异特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其 NPN 结构提供了良好的电流放大性能，hFE（电流增益）在典型工作条件下可达到 110，适合用于低频和中频放大电路。其次，该晶体管的工作频率高达 250MHz，使其适用于射频（RF）和高速开关应用。
　　此外，CR321212FT 的 SOT-23 封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适应高密度 PCB 设计。其额定电压为 Vceo = 30V 和 Vcbo = 50V，支持在多种电源条件下稳定工作。晶体管的最大集电极电流为 100mA，适用于低功率开关和信号处理电路。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具备良好的环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。另外，其封装材料符合 RoHS 标准，满足环保要求。综合来看，CR321212FT 是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的通用晶体管。

CR321212FT 广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中，它常用于音频放大、电压调节和传感器信号放大等场景。由于其高频特性，它也适用于射频前端电路中的小信号放大器。在数字电路中，CR321212FT 常被用作开关元件，用于控制 LED、继电器、小型电机等负载。
　　此外，该晶体管在嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品和汽车电子系统中均有广泛应用。例如，在汽车电子中，它可用于控制车灯、仪表盘显示和传感器接口电路；在通信设备中，可作为信号放大和开关控制元件；在智能家居设备中，也可用于低功耗控制电路。
　　值得一提的是，CR321212FT 的 SOT-23 封装形式非常适合自动化生产和表面贴装工艺，降低了制造成本并提高了生产效率。其优异的热稳定性和抗干扰能力也使其适用于环境较为恶劣的工业场合。

MMBT3904, 2N3904, BC847, 2N2222