您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 25MXG8200MEFCSN20X40

25MXG8200MEFCSN20X40 发布时间 时间:2025/9/7 20:24:27 查看 阅读:27

25MXG8200MEFCSN20X40是一种由Micron Technology生产的DRAM(动态随机存取存储器)模块。这种模块通常用于需要高性能存储解决方案的应用,例如计算设备、服务器和网络设备。该模块具有特定的容量和速度配置,适合需要快速数据存取的场景。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:1.8V至3.3V
  数据宽度:16位
  时钟频率:166MHz

特性

25MXG8200MEFCSN20X40是一款高性能DRAM模块,具有较高的数据传输速率和可靠性。其主要特性包括低功耗设计、宽温度范围支持以及出色的稳定性。该模块能够在多种工作条件下保持高性能,适用于工业级应用。此外,它还支持自动刷新和自刷新模式,有助于降低功耗并提高数据保持能力。其封装设计优化了空间利用,适合在紧凑型设备中使用。
  该DRAM模块具有良好的兼容性,可以与多种主控器和系统平台无缝集成。它的设计考虑了长期使用的可靠性,并支持错误检测和纠正功能,以确保数据完整性。模块的封装工艺确保了良好的散热性能,从而提高了整体系统的稳定性。
  在性能方面,25MXG8200MEFCSN20X40提供了高速数据访问能力,适用于需要快速数据处理的应用。其时钟频率为166MHz,能够满足高性能计算和数据密集型任务的需求。此外,该模块的低延迟特性使其在实时数据处理应用中表现出色。

应用

25MXG8200MEFCSN20X40常用于需要高性能存储解决方案的设备,如个人电脑、服务器、网络设备、嵌入式系统和工业控制系统。它特别适合那些对数据处理速度和系统稳定性有较高要求的应用场景。此外,该模块也适用于消费类电子产品,如高清电视和多媒体播放器,以提升设备的整体性能和用户体验。

替代型号

IS42S16200B-6T, HY5DU281622BTP43

25MXG8200MEFCSN20X40推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

25MXG8200MEFCSN20X40参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格200 : ¥27.71815散装
  • 系列MXG
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电容8200 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命105°C 时为 3000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流2.34 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流2.691 A @ 10 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距0.394"(10.00mm)
  • 大小 / 尺寸0.787" 直径(20.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)1.654"(42.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can - 卡入式