IXGH60N50A 时间：2025/8/5 19:55:07 阅读：31

IXGH60N50A是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高电压应用设计。该器件采用TO-247封装，适用于各种高功率电子设备，如电源、逆变器、电机驱动器和工业控制系统等。IXGH60N50A以其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性而闻名，使其成为高效率功率转换应用的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：60A
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.21Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXGH60N50A具有多项出色的电气和热性能特性，确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，提高整体效率。其次，该MOSFET的高漏源电压（Vds）额定值为500V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压功率转换电路。此外，IXGH60N50A具备良好的热管理能力，TO-247封装有助于快速散热，从而延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。
　　该器件还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高工作频率，适用于高频开关电源和逆变器设计。此外，其±20V的栅源电压额定值提供了较高的驱动灵活性，允许使用标准MOSFET驱动器进行控制。IXGH60N50A还具有抗雪崩击穿能力，可在瞬态过电压条件下提供额外的保护，增强系统的可靠性。

应用

IXGH60N50A广泛应用于各种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）。由于其高耐压能力和大电流承载能力，该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的功率转换场合。此外，其快速开关特性也使其适用于高频功率转换应用，有助于减小磁性元件的尺寸并提高整体系统效率。