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APT60GF60JU3 发布时间 时间:2025/12/24 17:25:02 查看 阅读:10

APT60GF60JU3是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)生产的IGBT(绝缘栅双极晶体管)功率器件,广泛应用于高功率电子系统中,如电机驱动、变频器、电源转换和工业自动化设备。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和BJT的低导通压降优势,能够在高电压和高电流条件下高效工作。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):600V
  额定集电极电流(Ic):60A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  短路耐受能力:有
  最大功耗:2.0kW(典型)
  短路电流能力:120A(最大)
  栅极驱动电压范围:±20V

特性

APT60GF60JU3具备优异的动态和静态性能,其主要特性包括高电流承载能力和低导通压降,从而提高了整体系统的效率。该器件采用先进的沟槽式IGBT技术,确保了在高频率开关应用中的稳定性。此外,它具有良好的短路耐受能力,可以在瞬态过载情况下提供额外的保护。
  该IGBT模块还具备低开关损耗特性,适合用于高频开关拓扑结构,如PWM变频器和DC-AC逆变器。其坚固的封装设计和优化的内部结构,使其能够在严苛的工业环境中稳定运行。此外,APT60GF60JU3还具有良好的热稳定性和抗热疲劳能力,确保长时间运行的可靠性。
  为了提高系统的安全性和稳定性,APT60GF60JU3内置了温度保护和过流保护功能。其TO-247封装形式便于散热器安装,并具有良好的电气绝缘性能,适合多种高功率应用场景。

应用

APT60GF60JU3广泛应用于各种高功率电子设备中,包括交流电机驱动器、工业变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、焊接设备和感应加热系统。由于其优异的开关特性和高可靠性,该器件也常用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率转换模块。

替代型号

APT60GF60BUP, IRG4PC50UD, FF600R12KE4, STGYH315LH6

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APT60GF60JU3参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)93A
  • 电流 - 集电极截止(最大)80µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)3.59nF @ 25V
  • 功率 - 最大378W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳ISOTOP
  • 供应商设备封装SOT-227