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STP7NK80Z 发布时间 时间:2023/6/9 14:15:42 查看 阅读:524

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:SuperMESH?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.8 欧姆 @ 2.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 100μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:56nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1138pF @ 25V
功率 - 最大:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件

资料

厂商
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics

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STP7NK80Z参数

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  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1138pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件