SI9953DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术,旨在提供更低的导通电阻和更高的效率,适用于高密度电源应用。其出色的开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频 DC-DC 转换器、负载点转换器以及便携式设备中的开关电源设计。
SI9953DY-T1-GE3 的封装形式为热增强型 ThinSOT? 封装(SC-74A),有助于提高散热性能并节省电路板空间。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:6.2A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,当 Vgs=10V 时)
栅极电荷:1.8nC(典型值)
总电容:320pF(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:ThinSOT?(SC-74A)
低导通电阻:在高电流应用中显著降低功耗。
低栅极电荷:提高开关速度,减少开关损耗。
小型封装:节省 PCB 空间,适合高密度设计。
出色的热性能:采用 ThinSOT? 封装,有效提升散热能力。
高可靠性:符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
快速开关特性:适合高频 DC-DC 转换和其他高效能电源管理应用。
便携式电子设备中的负载开关
多相 VRM 和 POL 转换器
DC-DC 转换器
电池保护
汽车电子系统中的开关应用
工业控制中的信号切换
消费类电子产品的电源管理模块