时间：2025/5/22 9:51:49
阅读：32
SI9953DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，旨在提供更低的导通电阻和更高的效率，适用于高密度电源应用。其出色的开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频 DC-DC 转换器、负载点转换器以及便携式设备中的开关电源设计。
SI9953DY-T1-GE3 的封装形式为热增强型 ThinSOT? 封装（SC-74A），有助于提高散热性能并节省电路板空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.2A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
栅极电荷：1.8nC（典型值）
总电容：320pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：ThinSOT?（SC-74A）
低导通电阻：在高电流应用中显著降低功耗。
低栅极电荷：提高开关速度，减少开关损耗。
小型封装：节省 PCB 空间，适合高密度设计。
出色的热性能：采用 ThinSOT? 封装，有效提升散热能力。
高可靠性：符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
快速开关特性：适合高频 DC-DC 转换和其他高效能电源管理应用。
便携式电子设备中的负载开关
多相 VRM 和 POL 转换器
DC-DC 转换器
电池保护
汽车电子系统中的开关应用
工业控制中的信号切换
消费类电子产品的电源管理模块
