时间：2025/5/10 9:16:12
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TF120P06N是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）元器件，专为高效功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各类电源管理场景。它通常被用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用中，能够提供高效率和良好的热性能。
TF120P06N属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为PDFN5*6-8L，适合表面贴装技术（SMT），具备较小的体积和较高的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：0.7mΩ
栅极电荷：23nC
总电容（输入电容）：1350pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：PDFN5*6-8L
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，使得该器件能够在高频条件下保持高效性能。
3. 高额定电流支持大功率应用，适用于需要处理高电流的场景。
4. 先进的封装技术确保了良好的散热性能，提升了器件在高温环境下的可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。
6. 小巧的封装形式节省了PCB空间，便于现代紧凑型设计的需求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 负载开关和保护电路中的功率开关元件。
5. 新能源领域如太阳能逆变器和电动车充电系统中的关键组件。
IPW120R069C7, FDP177AN
