时间：2025/6/29 15:18:23
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SI9942DY-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件主要设计用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。其优异的性能使其适用于各种开关模式电源、电机驱动器和负载开关等应用领域。
该型号具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功耗并提高系统效率，同时支持较高的工作电压，确保在多种复杂电路环境下的稳定性。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（典型值，在 Vgs=10V 的条件下）
栅极电荷：37nC（典型值）
总电容（Ciss）：2250pF
功耗：315W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI9942DY-T1-E3 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流能力，允许其在大电流应用中稳定运行。
3. 快速开关性能，减少了开关损耗，并适合高频应用。
4. 增强的热性能，通过优化封装设计来改善散热效果。
5. 工作温度范围广，能够适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
此外，该器件还具备出色的耐用性和可靠性，可有效延长设备的使用寿命。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动器，例如无刷直流电机控制。
3. 各种工业负载开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 数据通信和电信设备中的电源管理模块。
6. 汽车电子系统，如电动车窗、座椅调节以及电池管理系统（BMS）。
其高性能和高可靠性使其成为许多关键任务应用的理想选择。
SI9942ADY, IRFZ44N, FDP5500
