时间：2025/5/24 18:09:01
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BRF4N65 是一种高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，在保持低导通电阻的同时，还具有极快的开关速度和较低的栅极电荷，非常适合于开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能和高频率操作的应用场景。
BRF4N65 的最大漏源电压（Vds）为 650V，能够承受较高的电压波动，适用于工业和汽车领域中对电压要求苛刻的电路环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：2.9Ω
栅源电压：±20V
总栅极电荷：12nC
功耗：20W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BRF4N65 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压，可达到 650V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（2.9Ω），减少了传导损耗并提高了效率。
3. 快速开关能力，得益于其低栅极电荷（12nC），适合高频应用。
4. 提供卓越的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作。
5. 小尺寸封装，便于 PCB 布局优化。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
BRF4N65 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关元件。
3. 工业逆变器和电机驱动中的关键组件。
4. PFC（功率因数校正）电路中的升压开关。
5. 各种电池充电器和适配器的设计。
6. 汽车电子系统，如启动发电机或 LED 照明控制模块。
BR4N65, IRF640, STP36NF06
