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SH31B333K631CT 发布时间 时间:2025/6/30 22:50:17 查看 阅读:1

SH31B333K631CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提升系统效率并降低功耗。
  这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适用于需要高效能量转换和精确控制的电路设计。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等标准功率封装,便于散热管理。

参数

最大漏源电压:650V
  持续漏极电流:33A
  导通电阻:0.045Ω
  栅极电荷:95nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SH31B333K631CT 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 高开关速度,支持高频工作环境,适合现代高效能应用。
  3. 内置反向恢复二极管,优化了续流路径并降低了开关噪声。
  4. 出色的热稳定性,能够在宽温度范围内保持性能一致性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计,满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于多种工业及消费电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 电机驱动器中的功率级控制。
  3. DC-DC 转换器的核心功率开关。
  4. 太阳能逆变器中用于能量转换。
  5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
  6. 各类负载切换和保护电路。

替代型号

IRFZ44N, STP30NF06L, FQP30N06L

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SH31B333K631CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥0.44806卷带(TR)
  • 系列SH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压,软端接
  • 等级-
  • 应用Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-