SH31B333K631CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适用于需要高效能量转换和精确控制的电路设计。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等标准功率封装,便于散热管理。
最大漏源电压:650V
持续漏极电流:33A
导通电阻:0.045Ω
栅极电荷:95nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
SH31B333K631CT 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗,提升整体效率。
2. 高开关速度,支持高频工作环境,适合现代高效能应用。
3. 内置反向恢复二极管,优化了续流路径并降低了开关噪声。
4. 出色的热稳定性,能够在宽温度范围内保持性能一致性。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计,满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于多种工业及消费电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器的核心功率开关。
4. 太阳能逆变器中用于能量转换。
5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
6. 各类负载切换和保护电路。
IRFZ44N, STP30NF06L, FQP30N06L