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ZXMP10A13FTA 发布时间 时间:2025/5/23 10:57:46 查看 阅读:16

ZXMP10A13FTA是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  该芯片的主要特点是其优化的栅极电荷和低反向恢复电荷,能够显著降低开关损耗,提高系统效率。同时,它还具备出色的热性能和可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  电压(Vds):100V
  电流(Id):13A
  导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ
  栅极电荷(Qg):17nC
  反向恢复电荷(Qrr):40nC
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 低导通电阻设计,有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用场景。
  3. 低栅极电荷和反向恢复电荷,降低开关损耗。
  4. 良好的热性能,支持长时间稳定运行。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件。
  6. 高可靠性和耐用性,满足工业及汽车级要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 负载开关与保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 汽车电子系统中的高效率功率转换部分。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  STP13NK60Z

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ZXMP10A13FTA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C600mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 600mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds141pF @ 50V
  • 功率 - 最大625mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMP10A13FTR