时间：2025/8/2 4:58:13
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G080N10M是一种功率MOSFET器件，广泛用于高电流和高电压应用，如电源管理、马达控制、DC-DC转换器和电池管理系统。该器件基于N沟道增强型MOSFET技术，能够提供高效的开关性能和良好的导通电阻特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约8.0mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
G080N10M具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。其高电流承载能力和高电压耐受性使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有快速的开关速度，能够有效减少开关损耗，提高系统的动态响应。G080N10M采用先进的封装技术，确保良好的热管理和可靠性，适用于苛刻的工作环境。其坚固的设计和高耐用性使其在汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中广泛应用。
G080N10M的封装形式通常为TO-247或类似的高功率封装，确保良好的散热性能。其栅极驱动特性相对简单，适用于各种MOSFET驱动电路。该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。此外，G080N10M的制造工艺符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的设计需求。
G080N10M主要用于高功率电子系统，如电动汽车（EV）充电器、逆变器、马达驱动器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和消费类电子产品中的电源管理模块。其高效能和高可靠性使其成为现代电力电子系统中的关键组件。
IRF1405, SiR876DP, IPB080N10N3G
