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SI9936BDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/5 17:15:36 查看 阅读:28

SI9936BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术,具有极低的导通电阻和优异的开关性能,非常适合高频开关应用和功率转换电路。其封装形式为 ThinPAK 5x6,具备紧凑的尺寸和良好的散热性能。
  该 MOSFET 的主要用途包括 DC/DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的功率管理电路等。通过优化的制造工艺和先进的封装技术,SI9936BDY-T1-GE3 可以在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷:27nC
  输入电容:1480pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:ThinPAK 5x6

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,适合高频操作环境。
  4. 小巧的 ThinPAK 5x6 封装,节省 PCB 空间。
  5. 优异的热性能,确保在高功率密度设计中保持稳定运行。
  6. 宽工作温度范围,能够在极端环境下可靠工作。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关元件。
  2. DC/DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  4. 工业电机驱动和逆变器中的功率控制。
  5. 通信设备中的高效功率转换模块。
  6. 消费类电子产品的适配器和充电器设计。
  7. 汽车电子中的辅助功率管理单元。

替代型号

SI9936ADY-T1-GE3
  SIH310AD
  STP28NF06L

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SI9936BDY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)