时间：2025/6/5 17:15:36
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SI9936BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，非常适合高频开关应用和功率转换电路。其封装形式为 ThinPAK 5x6，具备紧凑的尺寸和良好的散热性能。
该 MOSFET 的主要用途包括 DC/DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的功率管理电路等。通过优化的制造工艺和先进的封装技术，SI9936BDY-T1-GE3 可以在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：27nC
输入电容：1480pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：ThinPAK 5x6
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度，适合高频操作环境。
4. 小巧的 ThinPAK 5x6 封装，节省 PCB 空间。
5. 优异的热性能，确保在高功率密度设计中保持稳定运行。
6. 宽工作温度范围，能够在极端环境下可靠工作。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关元件。
2. DC/DC 转换器中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业电机驱动和逆变器中的功率控制。
5. 通信设备中的高效功率转换模块。
6. 消费类电子产品的适配器和充电器设计。
7. 汽车电子中的辅助功率管理单元。
SI9936ADY-T1-GE3
SIH310AD
STP28NF06L
