时间：2025/6/16 12:12:29
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FQB11N40C 是一款 N 沣道通系列的功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现已被 ON Semiconductor 收购）生产。该器件采用 N 沟道增强型 MOSFET 技术，主要应用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
FQB11N40C 的特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高压环境下工作，并且具备良好的开关性能和热稳定性。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT）。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（Rds(on)）：3.8Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：1.7W
工作结温范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
FQB11N40C 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达 400V 的漏源电压，适用于高电压应用场合。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，降低开关损耗。
4. 热稳定性良好，能够在较高温度下可靠运行。
5. 小型化封装（TO-252），便于 PCB 布局设计，同时满足 SMT 工艺要求。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
FQB11N40C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或开关控制。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护和负载开关中的电子保险丝功能。
5. 各类工业控制设备中的功率级应用。
6. 照明系统（如 LED 驱动）中的功率管理模块。
IRFZ44N, FQP17N50, STP16NF50
