SKFA18/08CP是一种表面贴装(SMD)封装的功率场效应晶体管(MOSFET),通常用于高功率应用和高效率电源管理系统中。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),可支持较高的电流负载,同时保持较低的功率损耗。SKFA18/08CP通常采用先进的半导体制造工艺,以确保在高温和高负载条件下仍能稳定工作。该MOSFET适用于各种工业和汽车电子系统,如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理模块。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):80V
最大漏极电流(Id):180A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):约0.008Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):约200nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:双排扁平无引脚封装(例如PowerPAK或类似)
SKFA18/08CP具备多项优良特性,使其适用于高功率和高效率的应用场景。首先,其低导通电阻显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,高电流承载能力(高达180A)使得该器件能够支持大功率负载。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在恶劣的环境条件下可靠运行。其封装设计优化了热管理和电气性能,有助于减少PCB布局中的寄生电感和电阻。SKFA18/08CP还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,适用于频繁开关操作的场合。最后,该器件的栅极驱动特性优化,能够与多种类型的驱动IC兼容,适用于复杂的功率转换系统。
该器件的制造工艺采用先进的沟槽式MOSFET结构,有助于提高导通性能并降低开关损耗。其封装形式通常为双排扁平无引脚(DFN)或PowerPAK系列,确保良好的散热性能和机械稳定性。此外,SKFA18/08CP的电气参数经过严格测试,确保在各种工作条件下都能保持稳定和可靠的表现。
SKFA18/08CP广泛应用于高功率电子系统中,包括电源模块、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统(BMS)、电动车辆(EV)充电系统、工业自动化设备以及高效率开关电源(SMPS)等。其优异的导通性能和热管理能力使其在高负载和高频率应用中表现尤为突出。此外,该MOSFET还可用于电源分配系统、逆变器、负载开关和保护电路等场景,适用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车电子系统。
SiZ180DT, SKF180S08, BSC080N18NS5, IPB080N18N3