时间：2025/5/8 18:55:52
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SI9926DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景。其出色的导通电阻性能和较低的栅极电荷使得它在高频应用中表现优异。
该型号属于 Si9926 系列，适用于需要高效率和低功耗的设计方案。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1480pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
SI9926DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷（Qg）支持高频开关操作，适合开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
3. 高电流处理能力（高达 47A 连续漏极电流），满足大功率需求。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 小型化封装（TO-252），节省 PCB 空间。
该 MOSFET 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换应用，例如电池管理系统（BMS）和配电单元（PDU）。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, SI7476DP, FDP5500
