时间：2025/6/18 12:30:58
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SI9926ADY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装（PowerPAK? 1212-8），适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其设计旨在提供出色的电气性能，同时满足紧凑型设计需求。
SI9926ADY-T1-E3 的主要特点是其低导通电阻（RDS(on)）以及卓越的开关速度，这使其非常适合用于 DC/DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：760pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8
低导通电阻 (RDS(on)) 提升了功率效率，减少了发热问题。
高开关速度使得它能够适应高频开关应用。
具备出色的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
采用 PowerPAK? 1212-8 封装，减小了 PCB 占用面积并增强了散热性能。
通过 AEC-Q101 认证，确保在汽车级应用中的可靠性。
支持大电流操作，适用于多种工业和消费电子领域。
DC/DC 转换器中的功率开关
负载开关和电源管理模块
电池保护及管理系统
电机驱动和逆变器控制
电信设备中的功率转换
便携式电子设备中的电源管理
汽车电子系统中的功率调节
