时间：2025/6/19 9:26:29
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GA1206A560JXEBP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于增强型 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS）。该型号适用于高频开关和功率转换应用。其设计旨在提供低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力。
该芯片广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：56A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：2950pF
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247-3
GA1206A560JXEBP31G 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻确保在大电流应用中减少功耗并提升效率。
2. 快速开关速度，能够支持高频工作环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性以应对异常情况。
4. 工作温度范围广，适应恶劣环境下的使用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高，适合长期稳定运行的应用场景。
该元器件适用于多种工业和消费类电子领域，包括但不限于以下应用）
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具中的电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电动车窗和座椅调节系统
6. 负载开关及保护电路
7. 各种功率管理模块
这些应用场景充分利用了该器件的低损耗、高效率和高可靠性特点。
GA1206A560JXEBP28G
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L
