时间：2025/6/12 18:44:34
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SI9925DY-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，可显著提高效率并减少功率损耗。
其封装形式为 SO-8（表面贴装），具备出色的热性能和电气性能，适用于多种功率转换电路和负载开关场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：26A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：29nC（典型值）
反向恢复时间：7ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SO-8
SI9925DY-T1-GE3 提供了超低的导通电阻，从而减少了导通损耗，并提升了整体系统效率。
它还具备快速的开关速度，非常适合高频应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流和电机驱动等。
此外，TrenchFET? 第三代技术确保了更低的 Qg 和 Eoss，从而降低了开关损耗并提高了功率密度。
其紧凑的 SO-8 封装也使其易于集成到各种 PCB 设计中。
该 MOSFET 广泛应用于消费类电子、通信设备以及工业控制领域。
具体应用包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 同步整流电路
- 电池管理及保护
- 电机驱动和控制
- 负载开关
由于其高效率和可靠性，SI9925DY-T1-GE3 成为了许多功率转换和管理设计的理想选择。
SIH50N04-TP, IRFZ44N, FDP5800
