SD4841P67K65是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统功耗并提高整体性能。其封装形式通常为TO-220或DPAK,适合大电流应用场景。
型号:SD4841P67K65
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):65V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):48A
导通电阻(Rds(on)):6.7mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
总功耗(Ptot):225W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
SD4841P67K65具备多项优越性能:
1. 极低的导通电阻,仅为6.7mΩ,从而降低了导通损耗。
2. 高速开关能力,栅极电荷较小,有助于减少开关损耗。
3. 具备优异的热稳定性,在高温环境下依然保持稳定的工作状态。
4. 符合RoHS标准,绿色环保。
5. 支持高电流输出,额定电流可达48A,适用于大功率应用场合。
6. 提供过流保护和短路保护功能,增强系统的可靠性。
这些特点使得SD4841P67K65成为许多高效能功率转换应用的理想选择。
该芯片广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,用于提高效率和减小体积。
2. DC-DC转换器中的同步整流电路。
3. 工业电机驱动控制,支持快速动态响应。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 汽车电子中的负载切换和电池管理。
由于其出色的性能,SD4841P67K65特别适合对效率和散热有严格要求的应用场景。
IRFP2907, FDP5800, STP40NF06